[19a-E8-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-E8-3] VO₂フリースタンディング構造体における超低電力金属-絶縁体相転移と熱流シミュレーションによる機構解明

^○山崎翔太¹，神吉輝夫¹，LucaPellegrino²，NicolaManca^2,3，DanieleMarre^2,3，田中秀和¹ (阪大産研¹，CNR-SPIN²，Genova Univ.³)

キーワード：フリースタンディング,VO2,酸化物薄膜