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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-E8-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月19日(水) 09:15 〜 11:45 E8 (E202)

11:15 〜 11:30

[19a-E8-8] 反応性スパッタ法によるVO₂(B)薄膜の成長とアニールによるVO₂(M1)への変換

^○BintiAzhanNurulHanis，蘇魁，沖村邦雄 (東海大院工)

キーワード：二酸化バナジウム,反応性スパッタ法,ポストアニール