[19a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

[19a-F12-10] Tunnel FETの伝達特性におけるドレイン電圧の影響

^○福田浩一，森貴洋，水林亘，田邊顕人，昌原明植，安田哲二，右田真司，太田裕之，森田行則 (産総研 GNC)

キーワード：Tunnel FET,Device Simulation