[19a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

[19a-F12-13] Si/InAsヘテロ接合縦型トンネルFETのチャネル層ドーピング効果

^○冨岡克広^1,2，石坂文哉¹，中井栄治¹，福井孝志¹ (北大院情報科学および量子集積センター¹，JSTさきがけ²)

キーワード：トンネルFET,ナノワイヤ,III-V