[19a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

△ [19a-F12-2] 4端子ゲート抵抗法によるナノスケールバルク／極薄膜BOX SOI MOSFET動作温度の評価

^○（P）高橋綱己¹，松木武雄³，品田賢宏^2,3，井上靖朗³，内田建¹ (慶應大電子工¹，産総研ナノエレ研究部門²，産総研TIA推進本部³)

キーワード：自己加熱効果,極薄膜BOX SOI MOSFET,4端子ゲート抵抗法