[19a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

[19a-F12-4] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の低減

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，篠原博文²，岩松俊明²，尾田秀一²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)

キーワード：SRAM,最低動作電圧,ばらつき