[19a-F6-1~6] 8.4 プラズマエッチング

[19a-F6-2] 分子動力学法による塩素系プラズマSiエッチングの表面反応解析：エッチング副生成物イオンの斜め入射

^○（D）中崎暢也，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一 (京大院工)

キーワード：Si etching,Cl-based plasma,Molecular dynamics