[19a-PA4-1~12] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[19a-PA4-3] 四フッ化ケイ素凝縮層の低速電子照射により極低温合成したa-Si:H:Fの物性評価

^○坂巻直，山田竜太郎，佐藤哲也，中川清和 (山梨大院医工総研)

キーワード：a-Si,四フッ化ケイ素,極低温