09:30 〜 11:30
[19a-PG3-11] MBE法により作製したZnSnAs2薄膜のGaドーピング効果
キーワード：化合物半導体,分子線エピタキシー
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性
[19a-PG3-1~13] 14.1 探索的材料物性
2014年3月19日(水) 09:30 〜 11:30 PG3 (G棟2階)
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性
2014年3月19日(水) 09:30 〜 11:30 PG3 (G棟2階)
09:30 〜 11:30
キーワード：化合物半導体,分子線エピタキシー