[19a-PG3-1~13] 14.1 探索的材料物性

[19a-PG3-11] MBE法により作製したZnSnAs2薄膜のGaドーピング効果

内山高志，大前洸人，豊田英之，^○加藤孝弘，内富直隆 (長岡技大)

キーワード：化合物半導体,分子線エピタキシー