[19a-PG5-1~8] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥

[19a-PG5-1] ミラー電子顕微鏡による4H-SiC基板中に存在するダメージ層の観察

^○佐々木雅之¹，田村謙太郎¹，北畠真¹，松畑洋文²，児島一聡² (技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構¹，産総研²)

キーワード：シリコンカーバイド