[19a-PG5-1~8] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥

[19a-PG5-2] Alイオン注入SiC基板のX線侵入長を制御した斜入射トポグラフィーによる歪分布測定

^○高橋由美子¹，平野馨一¹，吉村順一¹，長町信治²，古室昌徳¹ (KEK-PF¹，長町サイエンスラボ²)

キーワード：トポグラフィー,放射光,SiC