[19a-PG5-1~8] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥

△ [19a-PG5-7] パワーデバイス用結晶の評価（Ⅴ）SiCショットキー障壁ダイオードの電気特性における転位の影響

^○冨永誠¹，石橋勇弥¹，小野修一²，新井学²，山本秀和¹ (千葉工大工¹，新日本無線²)

キーワード：SiC,ショットキー障壁ダイオード,転位