[19p-D1-1~20] 4.7 レーザー・プロセッシング

△ [19p-D1-4] SiCのフェムト秒レーザー改質部における電気伝導度の温度依存性

^○岡知輝¹，出来真斗^1,2，直井美貴¹，牧野高紘²，大島武²，富田卓朗¹ (徳島大工¹，原子力機構²)

キーワード：フェムト秒レーザー改質