2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.1 探索的材料物性

[19p-D3-1~14] 14.1 探索的材料物性

2014年3月19日(水) 14:00 〜 17:45 D3 (D114)

16:30 〜 16:45

[19p-D3-10] スパッタリング法による低残留キャリア密度β-FeSi2多結晶薄膜の作製と電気伝導機構の評価

○(B)服部哲,東貴彦,塚本裕明,山口陽己,寺井慶和 (鹿児島大 工)

キーワード:シリサイド