[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D8-13] GaN系HEMTデバイスのメタル・半導体界面反応解析に伴うオーミック電極の形成現象

^○MahadevaiahGopal¹，もたい貴子¹，吉岡啓²，高田賢治²，杉山仁¹ (東芝 先端ディスクリート開発センター 先端ディスクリートユニットプロセス開発部¹，東芝 先端ディスクリート開発センター 先端ディスクリート素子開発部²)

キーワード：GaN-HEMT,オーミック,界面反応