[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D8-2] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の深い準位を含むアニール挙動の評価

^○（D）瀧本拓真，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

キーワード：GaN,欠陥,プラズマ