[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D8-3] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの近赤外光照射による再活性化

^○横山大樹，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

キーワード：GaN,欠陥,plasma