[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D8-9] ALD Al₂O₃絶縁体層を有するInAlN MOSダイオードの特性に対するアニールの効果

^○千葉勝仁，中野拓真，赤澤正道 (北大 量集センター)

キーワード：InAlN,MOS,Al2O3