[19p-E14-1~21] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-E14-17] ミニマルCVDプロセスによるシリコン薄膜成⻑

^○池田伸一^1,2，石田夕起^1,2，三ヶ原孝則¹，中戸克彦¹，羽深等³，クンプアンソマワン^1,2，原史朗^1,2 (MINIMAL¹，産総研²，横浜国大³)

キーワード：ミニマル,多結晶シリコン