[19p-E2-1~9] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [19p-E2-5] ALDによるh-BN上へのhigh-k Y₂O₃絶縁膜の直接堆積

^○高橋伸尭¹，長汐晃輔¹，西村知紀¹，鳥海明¹，谷口尚²，渡邊賢司² (東大工¹，NIMS²)

キーワード：ALD,BN,グラフェン