[19p-E2-1~9] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[19p-E2-7] SiC上グラフェンのオゾン処理によるキャリア密度制御

^○（D）呉龍錫，奥村俊夫，中島健志，有月琢哉，井口宗明，青木翔，小林慶祐，松本卓也，永瀬雅夫 (徳島大工)

キーワード：グラフェン,SiC,ドーピング