[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-E8-1] スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移の特徴に関する考察

^○山口凜太郎，佐藤伸吾，大村泰久，中村和広 (関西大)

キーワード：ReRAM,抵抗変化メモリ,絶縁薄膜