2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月19日(水) 13:15 〜 18:45 E8 (E202)

15:45 〜 16:00

[19p-E8-11] Mnナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性

荒井崇1,劉冲1,大田晃生2,牧原克典1,宮崎誠一1 (名大院工1,名大 VBL2)

キーワード:抵抗変化メモリ