[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E8-11] Mnナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性

^○荒井崇¹，劉冲¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大 VBL²)

キーワード：抵抗変化メモリ