2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月19日(水) 13:15 〜 18:45 E8 (E202)

16:15 〜 16:30

[19p-E8-12] 第一原理計算による抵抗変化型メモリの動作機構の研究

神谷克政1,梁文榮2,Magyari-KopeBlanka3,YoshioNishi3,白石賢二4 (神奈工大1,筑波大2,スタンフォード大3,名古屋大4)

キーワード:RRAM,ReRAM