[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-E8-3] SiC_xO_yを用いた酸化還元反応による抵抗変化型不揮発性メモリ

^○（B）木田恭平，塚本貴広，須田良幸 (東京農工大)

キーワード：ReRAM