[19p-F11-1~18] 9.4 熱電変換

[19p-F11-12] PドープSOI層のゼーベック係数に与えるGaイオン注入の影響

^○鈴木悠平¹，サレファイズ^1,2，池田浩也¹ (静大電研¹，学振特別研究員 DC²)

キーワード：サーモパイル型赤外線センサ,ゼーベック係数,イオン注入