[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

[19p-F12-1] 数nm-CMOS 素子用二次元Si 層の検討（Ⅵ）：閉じ込め効果の異方性のSi 膜厚依存性

^○永田祐介¹，中原雄太¹，鈴木佑弥¹，斉田健吾¹，長嶺由騎¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

キーワード：2次元Si,ラマン,フォトルミネッセンス