[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

[19p-F12-13] In-situ P doped SiGeストレッサーを有する引張り歪みGeOI nMOSFETの高電流駆動力実証

^○上牟田雄一¹，守山佳彦¹，三枝栄子¹，前田辰郎¹，JevasuwanWipakorn¹，倉島優一²，高木秀樹²，小田穣¹，入沢寿史¹，池田圭司¹，黒澤悦男¹，手塚勉¹ (産総研GNC¹，産総研²)

キーワード：Ge,MOSFET,歪み