[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

▲ [19p-F12-14] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates

^○XiaoYu^1,2，張睿^1,2，亢健^1,2，前田辰郎³，板谷太郎³，長田剛規⁴，秦雅彦⁴，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大¹，JST-CREST²，産総研³，住友化学⁴)

キーワード：GeOI,MOSFET