[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

▲ [19p-F12-15] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO₂/Al₂O₃/GeO_x Gate Stacks

^○（P）張睿^1,2,4，WinstonChern³，玉?^1,2，竹中充^1,2，HoytJudy³，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，MIT³，浙江大⁴)

キーワード：Strained-Germanium,MOSFET,Post oxidation