[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

[19p-F12-17] 単一金属ゲート電極を用いた多結晶ゲルマニウムノーマリーオフジャンクションレス p-&n-MISFETs

^○鎌田善己，小池正浩，上牟田雄一，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：germanium,3D-IC,junctionless