[19p-PG2-1~12] 13.2 絶縁膜技術

[19p-PG2-5] Si(110),(111)基盤上で熱処理による界面反応で形成したLa-silicateゲート絶縁膜の物理的理解に関する研究

^○関拓也¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大 総理工²)

キーワード：high-k,Gate insulator,semiconductor