[19p-PG2-1~12] 13.2 絶縁膜技術

[19p-PG2-8] CVD法によるGe酸化膜の作製と評価

^○（M1）松岡悠斗，岩崎好考，上野智雄 (東京農工大)

キーワード：半導体,ゲルマニウム,酸化膜