2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月19日(水) 16:00 〜 18:00 PG3 (G棟2階)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-17] 3次元アトムプローブ法を用いた分子ドーピング形成によるシリコン表面上のリンと不純物原子の挙動評価

清水康雄1,高見澤悠1,井上耕治1,矢野史子1,2,永井康介1,LucaLamagna3,GiovanniMazzeo3,4,MichelePerego3,EnricoPrati3 (東北大金研1,東京都市大2,Laboratorio MDM, CNR-IMM3,Universita di Milano Bicocca4)

キーワード:アトムプローブ,分子ドーピング法