2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月19日(水) 16:00 〜 18:00 PG3 (G棟2階)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-26] W2Cゲート電極によるLa-silicate MOSFETの移動度改善

○（D）トクダレハンカマリ1，細田修平1，角嶋邦之2，片岡好則2，西山彰2，杉井信之2，若林整1，筒井一生2，名取研二1，岩井洋1 (東工大フロンティア研1，東工大総理工2)

キーワード：La-silicate,tugsten carbide,mobility