[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-29] Mg/Si極薄膜積層の熱処理を用いて作製したMg₂Siの赤外線吸収特性評価

^○長谷川明紀¹，呉研¹，宋眞漢¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：マクネシウムシリサイド,赤外線吸収,トンネルFET