[20a-D3-1~11] 14.1 探索的材料物性

[20a-D3-2] BaSi₂エピタキシャル薄膜へのAsイオン注入と高温アニール

^○原康祐^1,2，宇佐美徳隆^1,2，馬場正和³，都甲薫³，末益崇^2,3 (名大院工¹，JST-CREST²，筑波大院³)

キーワード：シリサイド半導体,不純物ドーピング