[20a-D3-1~11] 14.1 探索的材料物性

▲ [20a-D3-7] I-V and C-V characteristics of the metal/undoped-BaSi₂ Schottky diodes

^○杜偉杰¹，馬場正和¹，高部涼太¹，章寧¹，小池信太郎¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院¹，名大²，JST-CREST³)

キーワード：BaSi2, Schottky junction