[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D8-3] Siイオン注入を用いて作製したディプレッションモードGa₂O₃ MOSFET

^○東脇正高¹，佐々木公平^2,1，ワンマンホイ¹，上村崇史¹，キルシナムルティダイワシガマニ¹，倉又朗人²，増井建和³，山腰茂伸² (情通研機構¹，タムラ製作所²，光波³)

キーワード：酸化ガリウム,Ga2O3,MOSFET