Electron mobility of Sn-doped and Si-implanted n-type β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 D8 (D215)

09:45 〜 10:00

^○ManHoiWong¹，上村崇史¹，佐々木公平^2,1，KrishnamurthyDaivasigamani¹，倉又朗人²，増井建和³，山腰茂伸²，東脇正高¹ (情通研機構¹，タムラ製作所²，光波³)

キーワード：gallium oxide,mobility,implantation