2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 D8 (D215)

11:15 〜 11:30

△ [20a-D8-9] Si/SiO2基板上での高移動度n型及びp型III-V族半導体トランジスタ

○竹井邦晴1,2，StevenChuang2，HuiFang2，MortenMadsen2，JunghyoNah2，RehanKapadia2，AliJavey2 (大阪府大1，カリフォルニア大バークレー校2)

キーワード：III-V族半導体,トランジスタ