[20a-E11-1~9] 14.4 光物性・発光デバイス

▲ [20a-E11-9] Influence of Si-doping on the luminescence and defect evolution of AlN

^○YujinCho^1,2，BenjaminDierre¹，武田隆史¹，孫東鉉²，高橋向星^1,2，神垣良昭³，丸本一弘^2,4，深田直樹¹，広崎直登¹，関口隆史^1,2 (物材機構¹，筑波大²，香川大³，科学機構⁴)

キーワード：AlN,UV,ESR