[20a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[20a-E14-5] 多結晶シリコントレンチゲート構造中のドーパント拡散の3次元評価

高見澤悠¹，清水康雄¹，^○井上耕治¹，矢野史子^1,2，永井康介¹，国宗依信³，井上真雄³，西田彰男³，池田昌弘³ (東北大金研¹，東京都市大²，ルネサス³)

キーワード：アトムプローブ,多結晶シリコン,不純物分布