[20a-E2-1~12] 17.4 デバイス応用

△ [20a-E2-4] 金属/MoS₂/グラフェン縦型FET構造における巨大抵抗変調

^○山口健洋¹，井上義久¹，増渕覚^1,2，守谷頼¹，町田友樹^1,2 (東大生産研¹，東大ナノ量子機構²)

キーワード：グラフェン,MoS2,ショットキー