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一般セッション(口頭講演)

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[20a-E7-1~12] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:15 E7 (E201)

11:30 〜 11:45

△ [20a-E7-10] Degree of temperature dependence of TMR ratio of Co₂MnSi/MgO/Co₂MnSi MTJs as a function of Mn composition in Co₂MnSi electrodes

^○本田佑輔，劉宏喜，植村哲也，山本眞史 (北大院情報科学研究科)

キーワード：magnetic tunnel junctions,Co-based Heusler alloy,Co₂MnSi