2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.5 Si-English Session

[20a-F10-1~13] 13.5 Si-English Session

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F10 (F406)

10:15 〜 10:30

▼ [20a-F10-6] Electron Mobility and Leakage Current in Double-gated Ge Junctionless n-MOSFETs

○株柳翔一1,2，西村知紀1,2，長汐晃輔1,2，鳥海明1,2 (Univ. of Tokyo1，JST-CREST2)

キーワード：Germanium