2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.4 デバイス/集積化技術

[20a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F12 (F408)

09:45 〜 10:00

[20a-F12-4] Cu-MoOx-Al2O3抵抗変化型メモリのスイッチ特性

廣井孝弘1,中根明俊1,藤本天1,有田正志1,高橋庸夫1,安藤秀幸2,森江隆2 (北大院情報1,九工大生命体工2)

キーワード:ReRAM,MoO,Al