[20a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

[20a-F12-4] Cu-MoO_x-Al₂O₃抵抗変化型メモリのスイッチ特性

^○廣井孝弘¹，中根明俊¹，藤本天¹，有田正志¹，高橋庸夫¹，安藤秀幸²，森江隆² (北大院情報¹，九工大生命体工²)

キーワード：ReRAM,MoO,Al