[20a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

[20a-F12-5] Al電極上に作製したWOx薄膜の抵抗スイッチ特性

^○中根明俊¹，廣井孝弘¹，有田正志¹，高橋庸夫¹，安藤秀幸²，森江隆² (北大院情報¹，九工大²)

キーワード：ReRAM,タングステン酸化物