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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.4 デバイス/集積化技術

[20a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F12 (F408)

10:30 〜 10:45

[20a-F12-7] TEMその場観察を用いたCu/MoOx抵抗変化型メモリの繰り返し特性とフィラメント観察

^○工藤昌輝¹，大野裕輝¹，廣井孝弘¹，藤本天²，浜田弘一¹，有田正志¹，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，北大工²)

キーワード：抵抗変化型メモリ,MoOx,TEMその場観察